探針臺產(chǎn)品及廠家
高溫真空探針臺kt-z1604tz，可單選高溫或低溫等相應組件，溫度可達到400℃。以便測量分析溫度變化時芯片性能參數(shù)的變化。腔體內(nèi)被測芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導體器件接觸空氣所帶來的測試結果誤差。
更新時間:2024-10-22
janis st-500系列探針臺是高性能的研究儀器，旨在為晶片和設備提供經(jīng)濟實惠的真空和低溫探測環(huán)境。久經(jīng)考驗的st-500低溫恒溫器是這些探針臺的基礎部分，包括低振動技術（初設計用于高空間分辨率光學顯微鏡），以提供出色的樣品位置穩(wěn)定性。 各地的研究人員正在使用這些系統(tǒng)來進行廣泛域的研究，包括mems、納米電子學、超導性、鐵電學、材料科學和光學。
更新時間:2024-10-21
janis ccr閉循環(huán)系列探針臺為研究人員提供了真空和低溫測試功能，而無需使用液氦，液氮制冷。4 k、10 k和80 k低溫恒溫器使用成熟的gm制冷機冷卻樣品，性能可靠且價格合理。典型應用包括mems、納米電子、超導、鐵電、材料科學和光學。
更新時間:2024-10-21
ts2000-dp是mpi提供一套多功能且經(jīng)濟高效的8寸半自動高功率測試探針臺，可在20°c至300°c的溫度范圍內(nèi)進行晶圓載片上高功率應用的測量，且測量能力高達3kv（三軸）/10kv（同軸）和600a（脈沖）。
更新時間:2024-10-21
mpi ts300-shieldenvironment™（ts300-se）12英寸探針臺旨在對300mm晶圓及以下微小器件提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測量功能環(huán)境。 它以佳高度與防震臺結合在一起，使日常操作非常方便
更新時間:2024-10-21
mpi ts200-shieldenvironment™（ts200-se）8英寸探針臺可提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測量功能。
更新時間:2024-10-21
ts3500和ts3500-se 在功能上與mpi的已建立的 ts3000 和 ts3000-se 300毫米探針臺具有相同的功能，并通過配置或升mpi獨特的waferwallet™而具有完全自動化的功能。mpi的解決方案通過提供比其他供應商的半自動化產(chǎn)品更少的完全自動化功能，降低了客戶的總體測試成本。
更新時間:2024-10-21
mpi為其的ts2000-se，ts3000，ts3000-se，ts3500和ts3500-se探針系統(tǒng)設計了用的siph升，
更新時間:2024-10-21
mpi的ts3000是半自動300mm探針臺測試系統(tǒng)，搭配獨特的可開放式下做高低溫測試，門為產(chǎn)品工程，故障分析，設計驗證，晶圓可靠性以及rf和mmw應用而設計。
更新時間:2024-10-21
半自動真空低溫探針臺使晶圓和器件在低溫下9k(singleccr系統(tǒng))、4.5k(dualccr系統(tǒng))甚至低于4k(triple ccr系統(tǒng))的情況下能夠快速、經(jīng)濟地進行測試。低溫探針臺，設計用于支持在真空或氣體環(huán)境中對高達100mm、150mm或高達300mm的晶圓進行自動動或半自動測試。 系統(tǒng)精度高、成本低、噪音低、使用方便。系統(tǒng)建立在一個振動補償?shù)亩喙δ芷脚_上，能夠配置來各種測試應用程序。
更新時間:2024-10-21
納米探測面臨的挑戰(zhàn)· 定位精度· 安全（軟）著陸接觸· 具有適當尖端半徑的可靠探針頭· 清潔環(huán)境：試驗箱、樣品、探針頭· 振動敏感性低· 噪聲抑制· 漂移補償· 電路編輯/延遲：在fib角度操作
更新時間:2024-10-21
磁場探針臺產(chǎn)生多維磁場半導體測試設備三維探針臺和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過真正的雙性電源輸出，實現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時間:2024-10-18
實驗室半導體材料測量儀器定制高精度實驗臺該探針臺和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場的高穩(wěn)定性。
更新時間:2024-10-18
三維磁場探針臺測試系統(tǒng)實驗室測試設備通過真正的雙性電源輸出，實現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時間:2024-10-18
三維探針臺和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過真正的雙性電源輸出，實現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時間:2024-10-18
錦正茂高低溫真空探針臺應用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運特性等。
更新時間:2024-10-18
半導體材料測量高精度實驗臺高低溫真空磁場環(huán)境探針臺 廣泛應用于半導體工業(yè)、mems 、超導、電子學、鐵電子學、物理學、材料學和生物醫(yī)學等域。
更新時間:2024-10-18
半導體材料測量高精度實驗臺高低溫真空環(huán)境探針臺 錦正茂高低溫真空探針臺可進行真空環(huán)境下的高低溫測試（4.2k~500k）。
更新時間:2024-10-18
半導體材料測量設備高低溫真空環(huán)境探針臺高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運特性等。
更新時間:2024-10-18
材料實驗室半導體測量高低溫真空磁場環(huán)境探針臺錦正茂高低溫真空探針臺高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運特性等。
更新時間:2024-10-18
jzm-d30室溫探針臺材料實驗室半導體測量設備儀器錦正茂jzm-d30室溫探針臺的諸多設計都是﹡用的，探針臺的配置主要是根據(jù)用戶的需求進行選配及設計。
更新時間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺半導體材料測量快速實現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對樣品進行光學，電學測試，測試中也可實現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時間:2024-10-18
錦正茂三維磁場探針臺 廣泛應用于半導體工業(yè)、mems 、超導、電子學、鐵電子學、物理學、材料學和生物醫(yī)學等域。
更新時間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺真空環(huán)境材料光學電學測試控溫精度：±0.1k；真空度：10e-3pa；
更新時間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺測試系統(tǒng)光學電學儀器此款探針臺可在真空環(huán)境下對樣品進行光學，電學測試。
更新時間:2024-10-18
主要技術指標：※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）※ 控溫精度：±1℃※ 溫度分辨率：0.1℃※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨固定）
更新時間:2024-10-18
可以進行真空環(huán)境中的高低溫測試（10k~325k）。磁場強度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。
更新時間:2024-10-18
1、真空腔體約直徑260mm，2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質熔融石英3、樣品載臺直徑：50mm 樣品載臺平整度<5微米
更新時間:2024-10-18
可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及iv曲線等參數(shù)檢測，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學測試。
更新時間:2024-10-18
數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國a.s.t.m標準而設計的，用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的用儀器。
更新時間:2024-10-18
最新產(chǎn)品
- 人肽聚糖（PG）ELISA 檢測試劑盒 2024/10/22 16:32:04
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