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探針臺(tái)產(chǎn)品及廠家

SiPH Probe System  半自動(dòng)晶圓探針臺(tái)系統(tǒng)
mpi為其的ts2000-se,ts3000,ts3000-se,ts3500和ts3500-se探針系統(tǒng)設(shè)計(jì)了用的siph升,
更新時(shí)間:2024-10-21
TS3000 Probe System 半自動(dòng)300mm探針臺(tái)測試系統(tǒng)
mpi的ts3000是半自動(dòng)300mm探針臺(tái)測試系統(tǒng),搭配獨(dú)特的可開放式下做高低溫測試,門為產(chǎn)品工程,故障分析,設(shè)計(jì)驗(yàn)證,晶圓可靠性以及rf和mmw應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2024-10-21
超低溫磁場探針臺(tái)
半自動(dòng)真空低溫探針臺(tái)使晶圓和器件在低溫下9k(singleccr系統(tǒng))、4.5k(dualccr系統(tǒng))甚至低于4k(triple ccr系統(tǒng))的情況下能夠快速、經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行測試。低溫探針臺(tái),設(shè)計(jì)用于支持在真空或氣體環(huán)境中對高達(dá)100mm、150mm或高達(dá)300mm的晶圓進(jìn)行自動(dòng)動(dòng)或半自動(dòng)測試。 系統(tǒng)精度高、成本低、噪音低、使用方便。系統(tǒng)建立在一個(gè)振動(dòng)補(bǔ)償?shù)亩喙δ芷脚_(tái)上,能夠配置來各種測試應(yīng)用程序。
更新時(shí)間:2024-10-21
納米探針臺(tái)
納米探測面臨的挑戰(zhàn)· 定位精度· 安全(軟)著陸接觸· 具有適當(dāng)尖端半徑的可靠探針頭· 清潔環(huán)境:試驗(yàn)箱、樣品、探針頭· 振動(dòng)敏感性低· 噪聲抑制· 漂移補(bǔ)償· 電路編輯/延遲:在fib角度操作
更新時(shí)間:2024-10-21
三維磁場探針臺(tái)
更新時(shí)間:2024-10-21
JZM-D30室溫探針臺(tái)磁場高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)材料測試
探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時(shí)間:2024-10-18
高低溫真空探針臺(tái)測試系統(tǒng)鍍金無氧銅樣品臺(tái)
高低溫真空探針臺(tái)測試系統(tǒng)鍍金無氧銅樣品臺(tái)可升加載磁場,低溫防輻射屏設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2024-10-18
定制探針臺(tái)高低溫真空磁場高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)
定制探針臺(tái)高低溫真空磁場高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
磁場探針臺(tái)產(chǎn)生多維磁場半導(dǎo)體測試設(shè)備
磁場探針臺(tái)產(chǎn)生多維磁場半導(dǎo)體測試設(shè)備三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配,通過真正的雙性電源輸出,實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時(shí)間:2024-10-18
實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體材料測量儀器定制高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)
實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體材料測量儀器定制高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用,可以提高磁場的高穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2024-10-18
三維磁場探針臺(tái)測試系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室測試設(shè)備
三維磁場探針臺(tái)測試系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室測試設(shè)備通過真正的雙性電源輸出,實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時(shí)間:2024-10-18
真空探針臺(tái)高低溫測試實(shí)驗(yàn)臺(tái)材料測試霍爾測試
應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
實(shí)驗(yàn)測量設(shè)備磁場探針臺(tái)芯片測試半導(dǎo)體儀器
實(shí)驗(yàn)測量設(shè)備磁場探針臺(tái)芯片測試半導(dǎo)體儀器用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
JZM-D30室溫探針臺(tái)磁場、電源、樣品臺(tái)均可定制
該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用,可以提高磁場的高穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2024-10-18
實(shí)驗(yàn)室高低溫真空環(huán)境高精度探針臺(tái)防輻射實(shí)驗(yàn)臺(tái)
應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
三維磁場探針臺(tái)多維磁場實(shí)驗(yàn)裝置半導(dǎo)體材料測試
三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配,通過真正的雙性電源輸出,實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時(shí)間:2024-10-18
定制實(shí)驗(yàn)室探針臺(tái)高低溫真空探針測試系統(tǒng)材料測試儀器
錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺(tái) 樣品材料電學(xué) 光學(xué)測試實(shí)驗(yàn)臺(tái)
快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫,可在真空環(huán)境下對樣品進(jìn)行光學(xué),電學(xué)測試。
更新時(shí)間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場環(huán)境探針臺(tái)
半導(dǎo)體材料測量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場環(huán)境探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空環(huán)境探針臺(tái)
半導(dǎo)體材料測量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空環(huán)境探針臺(tái) 錦正茂高低溫真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測試(4.2k~500k)。
更新時(shí)間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測量設(shè)備高低溫真空環(huán)境探針臺(tái)
半導(dǎo)體材料測量設(shè)備高低溫真空環(huán)境探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測量高低溫真空磁場環(huán)境探針臺(tái)
材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測量高低溫真空磁場環(huán)境探針臺(tái)錦正茂高低溫真空探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
JZM-D30室溫探針臺(tái)材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測量設(shè)備儀器
jzm-d30室溫探針臺(tái)材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測量設(shè)備儀器錦正茂jzm-d30室溫探針臺(tái)的諸多設(shè)計(jì)都是﹡用的,探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺(tái)半導(dǎo)體材料測量
氣氛型高溫探針臺(tái)半導(dǎo)體材料測量快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫,可在真空環(huán)境下對樣品進(jìn)行光學(xué),電學(xué)測試,測試中也可實(shí)現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時(shí)間:2024-10-18
高低溫真空探針臺(tái)材料測試電磁測試儀器
錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
定制氣氛型高溫探針臺(tái)光學(xué)電學(xué)測試儀器
根據(jù)樣品材料,形狀不同可選擇探針,插拔等多種安裝測試方式。
更新時(shí)間:2024-10-18
多維磁場探針臺(tái)半導(dǎo)體材料光學(xué)測量實(shí)驗(yàn)室儀器
錦正茂三維磁場探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2024-10-18
室溫探針臺(tái)實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測試儀器光學(xué)平臺(tái)
該類型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時(shí)間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺(tái)真空環(huán)境材料光學(xué)電學(xué)測試
氣氛型高溫探針臺(tái)真空環(huán)境材料光學(xué)電學(xué)測試控溫精度:±0.1k;真空度:10e-3pa;
更新時(shí)間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺(tái)測試系統(tǒng)光學(xué)電學(xué)儀器
氣氛型高溫探針臺(tái)測試系統(tǒng)光學(xué)電學(xué)儀器此款探針臺(tái)可在真空環(huán)境下對樣品進(jìn)行光學(xué),電學(xué)測試。
更新時(shí)間:2024-10-18
高溫磁場加熱系統(tǒng)
主要技術(shù)指標(biāo):※ 溫度范圍:室溫—350℃(硅片上邊溫度)※ 控溫精度:±1℃※ 溫度分辨率:0.1℃※ 樣品尺寸:8英寸(需要有固定夾具,還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨(dú)固定)
更新時(shí)間:2024-10-18
錦正茂科技低溫三維磁場探針臺(tái)
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測試(10k~325k)。磁場強(qiáng)度在x軸上為0.75t,在y軸上為0.75 t,在z軸上為0.4t。
更新時(shí)間:2024-10-18
高低溫探針臺(tái) 用于傳感器 半導(dǎo)體 光電測試
1、真空腔體約直徑260mm,2、帶有4英寸高透射觀察窗,材質(zhì)熔融石英3、樣品載臺(tái)直徑:50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米
更新時(shí)間:2024-10-18
高?蒲袑(shí)驗(yàn)室高低溫探針臺(tái)
可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及iv曲線等參數(shù)檢測,用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測試。
更新時(shí)間:2024-10-18
錦正茂科技 定制高低溫探針臺(tái)
高低溫探針臺(tái)t8-ly100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測試提供一個(gè)80k-420k高低溫測試環(huán)境,
更新時(shí)間:2024-10-18
數(shù)字式四探針測試儀出租
數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國a.s.t.m標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,用于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的用儀器。
更新時(shí)間:2024-10-18

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熱門儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)(PH計(jì)) 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑