探針臺產(chǎn)品及廠家
ts2000-dp是mpi提供一套多功能且經(jīng)濟(jì)高效的8寸半自動高功率測試探針臺，可在20°c至300°c的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行晶圓載片上高功率應(yīng)用的測量，且測量能力高達(dá)3kv（三軸）/10kv（同軸）和600a（脈沖）。
更新時間:2024-10-21
mpi ts300-shieldenvironment™（ts300-se）12英寸探針臺旨在對300mm晶圓及以下微小器件提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測量功能環(huán)境。 它以佳高度與防震臺結(jié)合在一起，使日常操作非常方便
更新時間:2024-10-21
mpi ts200-shieldenvironment™（ts200-se）8英寸探針臺可提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測量功能。
更新時間:2024-10-21
ts3500和ts3500-se 在功能上與mpi的已建立的 ts3000 和 ts3000-se 300毫米探針臺具有相同的功能，并通過配置或升mpi獨(dú)特的waferwallet™而具有完全自動化的功能。mpi的解決方案通過提供比其他供應(yīng)商的半自動化產(chǎn)品更少的完全自動化功能，降低了客戶的總體測試成本。
更新時間:2024-10-21
mpi為其的ts2000-se，ts3000，ts3000-se，ts3500和ts3500-se探針系統(tǒng)設(shè)計(jì)了用的siph升，
更新時間:2024-10-21
mpi的ts3000是半自動300mm探針臺測試系統(tǒng)，搭配獨(dú)特的可開放式下做高低溫測試，門為產(chǎn)品工程，故障分析，設(shè)計(jì)驗(yàn)證，晶圓可靠性以及rf和mmw應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
更新時間:2024-10-21
半自動真空低溫探針臺使晶圓和器件在低溫下9k(singleccr系統(tǒng))、4.5k(dualccr系統(tǒng))甚至低于4k(triple ccr系統(tǒng))的情況下能夠快速、經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行測試。低溫探針臺，設(shè)計(jì)用于支持在真空或氣體環(huán)境中對高達(dá)100mm、150mm或高達(dá)300mm的晶圓進(jìn)行自動動或半自動測試。 系統(tǒng)精度高、成本低、噪音低、使用方便。系統(tǒng)建立在一個振動補(bǔ)償?shù)亩喙δ芷脚_上，能夠配置來各種測試應(yīng)用程序。
更新時間:2024-10-21
納米探測面臨的挑戰(zhàn)· 定位精度· 安全（軟）著陸接觸· 具有適當(dāng)尖端半徑的可靠探針頭· 清潔環(huán)境：試驗(yàn)箱、樣品、探針頭· 振動敏感性低· 噪聲抑制· 漂移補(bǔ)償· 電路編輯/延遲：在fib角度操作
更新時間:2024-10-21
定制探針臺高低溫真空磁場高精度實(shí)驗(yàn)臺用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時間:2024-10-18
磁場探針臺產(chǎn)生多維磁場半導(dǎo)體測試設(shè)備三維探針臺和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時間:2024-10-18
實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體材料測量儀器定制高精度實(shí)驗(yàn)臺該探針臺和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場的高穩(wěn)定性。
更新時間:2024-10-18
三維磁場探針臺測試系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室測試設(shè)備通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時間:2024-10-18
應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時間:2024-10-18
應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時間:2024-10-18
三維探針臺和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場合成。
更新時間:2024-10-18
錦正茂高低溫真空探針臺應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時間:2024-10-18
快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測試。
更新時間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測量高精度實(shí)驗(yàn)臺高低溫真空磁場環(huán)境探針臺 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測量高精度實(shí)驗(yàn)臺高低溫真空環(huán)境探針臺 錦正茂高低溫真空探針臺可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測試（4.2k~500k）。
更新時間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測量設(shè)備高低溫真空環(huán)境探針臺高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時間:2024-10-18
材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測量高低溫真空磁場環(huán)境探針臺錦正茂高低溫真空探針臺高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時間:2024-10-18
jzm-d30室溫探針臺材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測量設(shè)備儀器錦正茂jzm-d30室溫探針臺的諸多設(shè)計(jì)都是﹡用的，探針臺的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。
更新時間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺半導(dǎo)體材料測量快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測試，測試中也可實(shí)現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時間:2024-10-18
錦正茂三維磁場探針臺 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時間:2024-10-18
該類型的探針臺主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺真空環(huán)境材料光學(xué)電學(xué)測試控溫精度：±0.1k；真空度：10e-3pa；
更新時間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺測試系統(tǒng)光學(xué)電學(xué)儀器此款探針臺可在真空環(huán)境下對樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測試。
更新時間:2024-10-18
實(shí)驗(yàn)測量設(shè)備磁場探針臺芯片測試半導(dǎo)體儀器用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時間:2024-10-18
主要技術(shù)指標(biāo)：※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）※ 控溫精度：±1℃※ 溫度分辨率：0.1℃※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨(dú)固定）
更新時間:2024-10-18
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測試（10k~325k）。磁場強(qiáng)度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。
更新時間:2024-10-18
1、真空腔體約直徑260mm，2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英3、樣品載臺直徑：50mm 樣品載臺平整度<5微米
更新時間:2024-10-18
可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及iv曲線等參數(shù)檢測，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測試。
更新時間:2024-10-18
高低溫探針臺t8-ly100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測試提供一個80k-420k高低溫測試環(huán)境，
更新時間:2024-10-18
數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國a.s.t.m標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，用于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的用儀器。
更新時間:2024-10-18
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