探針臺(tái)產(chǎn)品及廠家
微型高低溫探針臺(tái)kt-z4019mrl4t結(jié)構(gòu)緊湊，適用于各種變溫測(cè)試。-196℃~400℃（配液氮致冷模塊）氣密腔室設(shè)計(jì)，可通保護(hù)氣氛
更新時(shí)間:2024-10-22
微型高溫探針臺(tái)kt-z400mr4t，0-400℃溫控，主要用于介電、壓電、鐵電、熱釋電、光電等材料的電學(xué)性能表征和測(cè)量。
更新時(shí)間:2024-10-22
高溫真空探針臺(tái)kt-z1604tz，可單選高溫或低溫等相應(yīng)組件，溫度可達(dá)到400℃。以便測(cè)量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數(shù)的變化。腔體內(nèi)被測(cè)芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導(dǎo)體器件接觸空氣所帶來的測(cè)試結(jié)果誤差。
更新時(shí)間:2024-10-22
janis st-500系列探針臺(tái)是高性能的研究?jī)x器，旨在為晶片和設(shè)備提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的真空和低溫探測(cè)環(huán)境。久經(jīng)考驗(yàn)的st-500低溫恒溫器是這些探針臺(tái)的基礎(chǔ)部分，包括低振動(dòng)技術(shù)（初設(shè)計(jì)用于高空間分辨率光學(xué)顯微鏡），以提供出色的樣品位置穩(wěn)定性。 各地的研究人員正在使用這些系統(tǒng)來進(jìn)行廣泛域的研究，包括mems、納米電子學(xué)、超導(dǎo)性、鐵電學(xué)、材料科學(xué)和光學(xué)。
更新時(shí)間:2024-10-21
janis ccr閉循環(huán)系列探針臺(tái)為研究人員提供了真空和低溫測(cè)試功能，而無需使用液氦，液氮制冷。4 k、10 k和80 k低溫恒溫器使用成熟的gm制冷機(jī)冷卻樣品，性能可靠且價(jià)格合理。典型應(yīng)用包括mems、納米電子、超導(dǎo)、鐵電、材料科學(xué)和光學(xué)。
更新時(shí)間:2024-10-21
ts2000-dp是mpi提供一套多功能且經(jīng)濟(jì)高效的8寸半自動(dòng)高功率測(cè)試探針臺(tái)，可在20°c至300°c的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行晶圓載片上高功率應(yīng)用的測(cè)量，且測(cè)量能力高達(dá)3kv（三軸）/10kv（同軸）和600a（脈沖）。
更新時(shí)間:2024-10-21
mpi ts300-shieldenvironment™（ts300-se）12英寸探針臺(tái)旨在對(duì)300mm晶圓及以下微小器件提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測(cè)量功能環(huán)境。 它以佳高度與防震臺(tái)結(jié)合在一起，使日常操作非常方便
更新時(shí)間:2024-10-21
mpi ts200-shieldenvironment™（ts200-se）8英寸探針臺(tái)可提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測(cè)量功能。
更新時(shí)間:2024-10-21
ts3500和ts3500-se 在功能上與mpi的已建立的 ts3000 和 ts3000-se 300毫米探針臺(tái)具有相同的功能，并通過配置或升mpi獨(dú)特的waferwallet™而具有完全自動(dòng)化的功能。mpi的解決方案通過提供比其他供應(yīng)商的半自動(dòng)化產(chǎn)品更少的完全自動(dòng)化功能，降低了客戶的總體測(cè)試成本。
更新時(shí)間:2024-10-21
mpi為其的ts2000-se，ts3000，ts3000-se，ts3500和ts3500-se探針系統(tǒng)設(shè)計(jì)了用的siph升，
更新時(shí)間:2024-10-21
mpi的ts3000是半自動(dòng)300mm探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)，搭配獨(dú)特的可開放式下做高低溫測(cè)試，門為產(chǎn)品工程，故障分析，設(shè)計(jì)驗(yàn)證，晶圓可靠性以及rf和mmw應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2024-10-21
半自動(dòng)真空低溫探針臺(tái)使晶圓和器件在低溫下9k(singleccr系統(tǒng))、4.5k(dualccr系統(tǒng))甚至低于4k(triple ccr系統(tǒng))的情況下能夠快速、經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行測(cè)試。低溫探針臺(tái)，設(shè)計(jì)用于支持在真空或氣體環(huán)境中對(duì)高達(dá)100mm、150mm或高達(dá)300mm的晶圓進(jìn)行自動(dòng)動(dòng)或半自動(dòng)測(cè)試。 系統(tǒng)精度高、成本低、噪音低、使用方便。系統(tǒng)建立在一個(gè)振動(dòng)補(bǔ)償?shù)亩喙δ芷脚_(tái)上，能夠配置來各種測(cè)試應(yīng)用程序。
更新時(shí)間:2024-10-21
納米探測(cè)面臨的挑戰(zhàn)· 定位精度· 安全（軟）著陸接觸· 具有適當(dāng)尖端半徑的可靠探針頭· 清潔環(huán)境：試驗(yàn)箱、樣品、探針頭· 振動(dòng)敏感性低· 噪聲抑制· 漂移補(bǔ)償· 電路編輯/延遲：在fib角度操作
更新時(shí)間:2024-10-21
探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時(shí)間:2024-10-18
高低溫真空探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)鍍金無氧銅樣品臺(tái)可升加載磁場(chǎng)，低溫防輻射屏設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2024-10-18
定制探針臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
磁場(chǎng)探針臺(tái)產(chǎn)生多維磁場(chǎng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2024-10-18
實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體材料測(cè)量?jī)x器定制高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2024-10-18
三維磁場(chǎng)探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試設(shè)備通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2024-10-18
應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
實(shí)驗(yàn)測(cè)量設(shè)備磁場(chǎng)探針臺(tái)芯片測(cè)試半導(dǎo)體儀器用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2024-10-18
應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2024-10-18
錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空環(huán)境探針臺(tái) 錦正茂高低溫真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試（4.2k~500k）。
更新時(shí)間:2024-10-18
半導(dǎo)體材料測(cè)量設(shè)備高低溫真空環(huán)境探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測(cè)量高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境探針臺(tái)錦正茂高低溫真空探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
jzm-d30室溫探針臺(tái)材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備儀器錦正茂jzm-d30室溫探針臺(tái)的諸多設(shè)計(jì)都是﹡用的，探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺(tái)半導(dǎo)體材料測(cè)量快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試，測(cè)試中也可實(shí)現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時(shí)間:2024-10-18
錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2024-10-18
錦正茂三維磁場(chǎng)探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2024-10-18
該類型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時(shí)間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺(tái)真空環(huán)境材料光學(xué)電學(xué)測(cè)試控溫精度：±0.1k；真空度：10e-3pa；
更新時(shí)間:2024-10-18
氣氛型高溫探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)光學(xué)電學(xué)儀器此款探針臺(tái)可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-10-18
主要技術(shù)指標(biāo)：※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）※ 控溫精度：±1℃※ 溫度分辨率：0.1℃※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨(dú)固定）
更新時(shí)間:2024-10-18
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10k~325k）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。
更新時(shí)間:2024-10-18
1、真空腔體約直徑260mm，2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英3、樣品載臺(tái)直徑：50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米
更新時(shí)間:2024-10-18
可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及iv曲線等參數(shù)檢測(cè)，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-10-18
高低溫探針臺(tái)t8-ly100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80k-420k高低溫測(cè)試環(huán)境，
更新時(shí)間:2024-10-18
數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)a.s.t.m標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的用儀器。
更新時(shí)間:2024-10-18
最新產(chǎn)品
- 6ES7 318-3EL00-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:37:11
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- 6ES7 431-1KF00-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:36:46
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- 小鼠肽聚糖（PG）ELISA檢測(cè)試劑盒 2024/10/22 16:35:48
- 6ES7 431-1KF10-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:36:33
- 6ES7 431-1KF20-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:36:21
- 6ES7 431-7QH00-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:36:08
- 優(yōu)勢(shì)品牌#原廠進(jìn)口#DEMAG備件77202033 2024/10/22 16:35:15
- 6ES7 431-7KF00-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:35:56
- 6ES7 431-7KF10-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:35:43
- 上海祥樹 SIEMENS 三通閥 2024/10/22 16:34:54
- 6ES7 432-1HF00-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:35:30
- Ge 標(biāo)準(zhǔn)帶通濾光片 10600nm 直徑50mm 2024/10/22 16:34:37
- 供應(yīng)全國(guó)3MVHB雙面膠帶 2024/10/22 16:34:32
- 6ES7 421-7BH01-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:35:18
- 優(yōu)勢(shì)品牌#原廠進(jìn)口#WIKA備件14170123 2024/10/22 16:34:20
- 6ES7 421-1BL01-0AA0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:35:05
- 6ES7 421-1EL00-0AA0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:34:53
- 6ES7 421-1FH20-0AA0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:34:40
- 6ES7 421-7DH00-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:34:28
- 6ES7 422-1BH11-0AA0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:34:15
- 上海祥樹 PARKER 備件 2024/10/22 16:33:16
- 6ES7 422-1BL00-0AA0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:34:03
- 6ES7 422-7BL00-0AB0 最新報(bào)價(jià) 2024/10/22 16:33:50
- 6ES7 422-1FH00-0AA0 最新供應(yīng) 2024/10/22 16:33:38
- 6ES7 422-1HH00-0AA0 最新供應(yīng) 2024/10/22 16:33:25
- 6ES72110AA230XB0 最新供應(yīng) 2024/10/22 16:33:13
- DSX-ADD DSX-5000網(wǎng)線認(rèn)證測(cè)試儀的測(cè)試模塊(不含平臺(tái)) 2024/10/22 16:32:23
- 6ES72110BA230XB0 最新供應(yīng) 2024/10/22 16:33:00