濕法腐蝕/刻蝕設備產(chǎn)品及廠家
德國sentech 等離子刻蝕機 si 500 rie，rie 蝕刻機，最大 8 英寸晶圓, 帶可選的 icp 源擴展
更新時間:2024-12-20
德國sentech 多晶圓等離子體反應刻蝕機 etchlab 380，最大 300 mm 晶圓，用于多個晶圓的 380 mm 載體
更新時間:2024-12-20
德國sentech pecvd沉積設備 depolab 200， 最大 8 英寸晶圓，高達 400°c 的基板溫度，低頻混合，300-500 khz 可選
更新時間:2024-12-20
德國sentech pecvd沉積設備 si 500 ppd,最大 8 英寸晶圓, 高達 350°c 的基板溫度, 低頻混合，300-500 khz可選
更新時間:2024-12-20
德國sentech pecvd沉積設備 si 500 d，最大 8 英寸晶圓，rt....300/400°c 基板溫度
更新時間:2024-12-20
德國sentech 原子層沉積設備 si adl ll/ si peald ll,在 8 英寸晶圓和玻璃基板上實現(xiàn)高度均勻的薄膜厚度, 在具有高縱橫比的模型上進行 3d保形沉積, 400/500°c 基板溫度, 最大 8 英寸晶圓.
更新時間:2024-12-20
德國sentech 原子層沉積設備 si adl ll/ si peald ll,在 8 英寸晶圓和玻璃基板上實現(xiàn)高度均勻的薄膜厚度, 在具有高縱橫比的模型上進行 3d保形沉積, 400/500°c 基板溫度, 最大 8 英寸晶圓.
更新時間:2024-12-20
德國sentech多腔體沉積鍍膜刻蝕設備,集群配置,所有等離子工具都可以排列在一個集群工具中。提供用于研發(fā)和高吞吐量生產(chǎn)的集群。通過單個晶圓裝載鎖和/或晶圓盒站裝載晶圓。
更新時間:2024-12-20
pse v300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時兼具bosch/non-bosch工藝，實現(xiàn)多工藝域覆蓋。該機臺針對bosch循環(huán)工藝方式采用業(yè)先進的快速響應硬件配置及軟件流程控制，結合先進的工藝技術，可實現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求。
更新時間:2024-09-04
pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。
更新時間:2024-08-15
rie-10nr是一種新型的低成本、高性能的全自動rie等離子刻蝕設備，它能滿足非腐蝕性氣體化學苛刻的工藝要求。計算機化的觸摸屏為參數(shù)控制和存儲提供了一個用戶友好的界面。
更新時間:2024-08-15
rie-230ip是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型icp蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導體進行高精度的各向異性蝕刻。
更新時間:2024-08-15
rie-400ip是用于ø4 “晶圓的負載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（icp）刻蝕設備可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風線圈的電感耦合等離子體(inductively coupled plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。
更新時間:2024-08-15
rie-802bct深硅刻蝕設備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán)，以及高精度的晶圓對準器。該高性能系統(tǒng)能夠進行高長寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。
更新時間:2024-08-15
憑借在蝕刻gan，sic和藍寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗，我們的技術既能夠滿足性價比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。plasmapro 100 polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為精細的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競爭優(yōu)勢。
更新時間:2024-08-14
rie-200c是在擁有豐富交貨業(yè)績的ccp rie系統(tǒng) “rie-10nr “的基礎上開發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對si、poly-si、sio₂、sin等各種硅薄膜進行高精度蝕刻和灰化。采用雙盒雙臂機械手，plc控制全自動操作，高性能存儲工藝參數(shù)，實現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時間:2024-08-14
高密度等離子體刻蝕設備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。
更新時間:2024-08-14
plasmapro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
更新時間:2024-08-14
sentech 集群系統(tǒng)包括等離子體蝕刻和/或沉積模塊、一個轉移室和一個真空負載鎖或盒式站。包括搬運機器人在內(nèi)的轉移室有三到六個端口。多可以使用兩個盒式磁帶站來提高吞吐量。
更新時間:2024-08-14
plasmapro 800系列是結構緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻（rie）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產(chǎn)別的批量以及300mm晶圓的工藝。
更新時間:2024-08-14
rie-1c是用于半導體芯片故障分析的小型臺式干式蝕刻系統(tǒng)？梢愿咝А⒌蛽p傷地去除鈍化膜。它操作簡單，樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個過程。可以放在桌面上，也可以選擇用支架。
更新時間:2024-08-14
rie-300nr是一種理想的rie等離子刻蝕設備，適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓（ø3“×12，ø4“×8等），具有優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)的設計旨在大限度地減少工廠空間需求，提高產(chǎn)量，大限度地延長正常運行時間，并通過可靠的硬件和便捷的服務降低擁有成本。
更新時間:2024-08-14
高密度等離子刻蝕裝置ulhitetm ne-7800h高密度等離子客戶裝置ulhite ne-7800h是對應刻蝕feram、mram、reram、pcram等器件所用的高難度刻蝕材料（強電介質(zhì)層、貴金屬、磁性膜等）的multi-chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。
更新時間:2024-06-27
研究開發(fā)向nld干法刻蝕設備nld-570研究開發(fā)向nld干法刻蝕設備nld-570，是搭載了愛發(fā)科磁性中性線（nld- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此nld技術可實現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。
更新時間:2024-06-27
干法刻蝕設備 apios ne-950ex對應led量產(chǎn)用的干法刻蝕設備｢ne-950ex｣相對我司以往設備實現(xiàn)了140%的生產(chǎn)力。是搭載了icp高密度等離子源和愛發(fā)科自有的星型電的干法刻蝕設備。
更新時間:2024-06-27
rie-802bct是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán)，以及高精度的晶圓對準器。該高性能系統(tǒng)能夠進行高長寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。
更新時間:2024-06-25
rie-800bct是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅drie系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時保持高蝕刻率和選擇性。
更新時間:2024-06-25
rie-400ip是用于ø4 "晶圓的負載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用獨特的龍卷風線圈的電感耦合等離子體(inductively coupled plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。另外，可以根據(jù)加工材料和加工內(nèi)容選擇合適的等離子體源。
更新時間:2024-06-25
rie-230ipc是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的盒式icp蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用獨特的龍卷風式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，實現(xiàn)了對硅、各種金屬薄膜和化合物半導體的高精度各向異性蝕刻。此外，ø230mm的托盤可同時處理多種化合物半導體。
更新時間:2024-06-25
rie-230ip是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型icp蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用獨特的龍卷風式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導體進行高精度的各向異性蝕刻。此外，ø230mm的托盤可同時處理多種化合物半導體。
更新時間:2024-06-25
rie-10nr是一種新型的低成本、高性能的全自動反應離子蝕刻系統(tǒng)，它能滿足非腐蝕性氣體化學苛刻的工藝要求。計算機化的觸摸屏為參數(shù)控制和存儲提供了一個用戶友好的界面。該系統(tǒng)可實現(xiàn)精確的側壁輪廓控制和材料間的高蝕刻選擇性。rie-10nr具有時尚、緊湊的設計，需要小的潔凈室空間。
更新時間:2024-06-25
高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。
更新時間:2024-06-25
rie-200nl是一種負載鎖定型的反應離子蝕刻系統(tǒng)，它提高了工藝的可重復性，并允許腐蝕性氣體化學。完全優(yōu)化的工藝室設計可在ø8 "晶圓或ø220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實現(xiàn)精確的側壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。rie-200nl設計時尚、緊湊，只需小的潔凈室空間。
更新時間:2024-06-25
samco 的 rie-800ipb 是一種高性能的電感耦合等離子體 (icp) 蝕刻系統(tǒng)，使用高密度等離子體進行 mems 和 tsv 應用所需的深度硅蝕刻。rie-800ipb是為bosch工藝設計的用硅蝕刻系統(tǒng)（由robert bosch gmbh授權）。
更新時間:2024-06-25
rie-400ipb是一款電感耦合等離子體放電設備，用于博世m(xù)ems和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。rie-800ipb是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由robert bosch gmbh（德國）授權，能夠對mems和tsv所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。
更新時間:2024-06-25
高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。
更新時間:2024-06-25
rie-350ipc是一種盒式裝載電感耦合等離子體(icp)蝕刻設備，可處理多達ø350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應用提供了堅固可靠的硬件和卓越的工藝控制，具有較高的生產(chǎn)率，如功率器件、微型led、vcsel、ld、電容器和射頻濾波器。
更新時間:2024-06-25
rie-200c是在擁有豐富交貨業(yè)績的ccp rie系統(tǒng) "rie-10nr "的基礎上開發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對si、poly-si、sio₂、sin等各種硅薄膜進行高精度蝕刻和灰化。采用雙盒雙臂機械手，plc控制全自動操作，高性能存儲工藝參數(shù)，實現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時間:2024-06-25
rie-300nr是一種理想的反應離子蝕刻系統(tǒng)，適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓（ø3"×12，ø4"×8等），具有優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)的設計旨在大限度地減少工廠空間需求，提高產(chǎn)量，大限度地延長正常運行時間，并通過可靠的硬件和便捷的服務降低擁有成本。
更新時間:2024-06-25
rie-1c是用于半導體芯片故障分析的小型臺式干式蝕刻系統(tǒng)？梢愿咝А⒌蛽p傷地去除鈍化膜。它操作簡單，樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個過程？梢苑旁谧烂嫔希部梢赃x擇用支架。
更新時間:2024-06-25
fep燒杯，也稱聚全氟乙丙烯燒杯：非凡的化學耐受性，幾乎可耐受所有的化學溶劑。適合于保存化學品和樣本,或一般的高溫高壓滅菌用途。具有翻邊設計，便與夾持和移動，有散發(fā)熱量和增加機械強度的作用，邊沿有嘴，便于傾倒液體。燒杯是一種常見的實驗室玻璃器皿，通常由玻璃、塑料或者耐熱玻璃制成。燒杯呈圓柱形，頂部的一側開有一個槽口，便于傾倒液體。
更新時間:2023-11-15
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